空煙彈>長江儲存晶片技術再突破 專家：阻力變助力

長江儲存的最新記憶體晶片突破展示中國的技術韌性，也預示著全球半導體產業的動態轉變。（取自網路）

吳孟峰／核稿編輯

〔財經頻道／空煙彈〕中國領先的記憶體晶片製造商長江儲存在美國的半導體制裁下，再度突破晶片新技術，這是兩年內第二次證明，美國的貿易限制並未減緩其技術進步。

專家指出，長江儲存的最新記憶體晶片突破展示中國的技術韌性，也預示著全球半導體產業的動態轉變。隨著該公司不斷突破記憶體晶片創新界限，表明貿易制裁可能會推動、而不是阻礙中國的技術自給自足。

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繼2022年實現232層NAND技術突破之後，長江儲存在記憶體晶片創新方面再次突破界限。這項突破是透過研究公司 TechInsights的分析發現。它展示長江儲存對高密度3D NAND晶片Xtacking4.0設計的掌握，也是中國半導體技術在美國試圖遏制情況下繼續進步的又一例證。

TechInsights高級分析師Jeongdong Choe指出這一最新進展的意義，他表示：「重要的一點是，長江儲存已經在市場上擊敗競爭對手。借助新的Xtacking4.0技術，長江儲存似乎找到了利用這種新晶片突破當前禁令的方法」。

《南華早報》也引述TechInsights最近報導，長江儲存的成就體現在商用ZhiTai TiPro9000固態儲存設備。該設備採用先進的雙層結構，下層有150個柵極，上層有144個柵極，總計有294個柵極。

自2016年成立以來，長江儲存已從全球快閃記憶體產業的後來者，成長變為強大的競爭對手。該公司快速的技術進步首次凸顯是在2022年，當時生產突破性的232層NAND 快閃記憶體，超越美光科技、三星電子和SK海力士等行業巨頭的能力。

全球記憶體晶片領域競爭激烈，SK海力士宣布計畫在今年上半年量產321層4D NAND晶片。然而，根據TrendForce的數據，市場面臨需求疲軟和供應過剩的挑戰，而中國供應商在國內替代政策的推動下積極擴大生產，加劇了這項挑戰。

最近的這項突破尤其引人注目，因為就在該公司被列入華府因國家安全擔憂而製定的出口黑名單之前。